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Power(大功率)MOSFET/IGBT應用設計技術

  • 作者:山崎浩 追蹤
  • 譯者:白中和
  • 出版社:建興 出版社追蹤 功能說明
  • 出版日:2003/6/1
  • ISBN:9789578176775
  • 語言:中文繁體
  • 適讀年齡:全齡適讀
  • 定價:340 元
  • 特價:8272(可得紅利2點)
  • 紅利優惠價:78264(折抵說明)
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Power(大功率)MOSFET/IGBT應用設計技術
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內容簡介 top

《Power(大功率)MOSFET/IGBT應用設計技術》


Power MOSFET (Power Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor:大功率金屬氧化物半導體場效電晶體)已成為大功率元件(Power Device)的主流,在市場上居主導地位。


本 書是以今後有志學習Power MOSFET及IGBT並實際從事電路設計的技術人員為對象而編寫的,第1~4章鮮說元件之分類、動作原理、規格書(Data Sheet)之閱讀法、特性改善以及應用技術等。

 

此外,本書在適當處插入設計練習題,建議讀者藉著練習題來實際體驗規格書(Data Sheet)之閱讀方法。第5章介紹不同領域之應用電路例,但不作系統整體之說明,其目的是加深對MOSFET及IGBT之理解,並提供讀者電路設計之入門概念資料。

詳細資料top

編/譯者:白中和
語言:中文繁體
規格:平裝
分級:普級
開數:25開15*21cm
頁數:232
出版地:台灣

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