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半導體工程:精選

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  • 作者: 蔡淑慧編著 追蹤作者 ? 追蹤作者後,您會在第一時間收到作者新書通知。
  • 出版社: 五南 追蹤出版社 ? 追蹤出版社後,您會在第一時間收到出版社新書通知。
  • 出版日:2007/10/1
  • ISBN:9789571149257
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內容簡介

本書以有系統的方式,深入淺出地介紹目前半導體歷史回顧、物理及元件物理與製程整合所必須具備的基礎理論、重要觀念與方法、以及先進製造技術特別是奈米材料在最近發展快速之後,半導體的應用更加朝向奈米級的應用。

 

內容可分為十個章節:第一至第五章涵蓋目前主流半導體元件基本特性、包括了材料、結構、電磁場中的傳輸行為、以及光電特性。第六至第八章探討現代與先進的元件物理之原理及相關應用、包括了 MOS結構、非晶型半導體、以及半導體多層結構。第九至第十章則討論以半導體元件為主的相關半導體製程與應用,包括了半導體長晶、長膜、以及元件製程。
 

由於強調基本物理觀念與實用並重,且對於重要的觀念或關鍵技術均會清楚地交代,並盡可能以「雷達報報站」的補充解釋來幫助讀者理解與想像,以期收事半功倍之效。
 

除了可作為電機電子工程、系統工程、應用物理、與材料工程領域的大學部高年級學生或研究生的教材,也可以作為半導體業界工程師的重要參考。適合基礎理工、電子訊息、半導體相關科系學生學習的教科用書,也可提供相關從業人員參考進修之用。

目錄

CHAPTER 1 半導體的歷史回顧
一、半導體簡介與歷史演進

 

CHAPTER 2 半導體的材料與結構特性
一、半導體的材料
(1)元素半導體與化合物半導體
(2)奈米半導體
二、半導體的結構
(1)晶體和非晶體──原子之大家族
(2)晶面和晶向──米勒指數
(3)金剛石結構和閃鋅礦結構
(4)Ⅲ-Ⅴ族GaAs之結構分析與界面態模型

 

CHAPTER 3 半導體的電子結構與能隙理論
一、能隙的形成
二、金屬、絕緣體、半導體與費米能階(Fermi level)
三、內廩半導體與外廩半導體──不純物加入的影響
(1)電洞(Holes)的概念與有效質量的意義
四、有效質量可由實驗上測得──迴旋加速器共振法
(1)內廩半導體和外廩半導體的差別

 

CHAPTER 4 半導體中載流子在電場與磁場中的傳輸行為
一、電阻產生的原因
(1)晶格振動所致之載流子散射
(2)不純物所導致的載流子散射
(3)捕獲與再結合中心
二、電阻的量測
(1)定電流測電壓方法
(2)單臂惠斯通電橋方法
(3)雙臂惠斯通電橋方法
(4)開爾文四線連接測試技術
(5)四點探針量測法
三、載流子在磁場中的作用-霍爾效應(Hall effect)

 

CHAPTER 5 半導體的光學性質與光電效應
一、半導體的光電現象
(1)半導體的光吸收
(2)反射率和透射率
二、本質吸收(intrinsic absorption)
(1)直接躍遷
(2)間接躍遷
三、其他吸收
(1)激子吸收
(2)自由載子的吸收
(3)雜質的吸收
(4)晶格振動吸收
四、半導體的光電導
(1)光電導的現象
五、半導體的光生伏特效應
(1)光生伏特效應
(2)光電池與太陽光電池

 

CHAPTER 6 半導體的同質結、異質結及MOS結構
一、非平衡載流子
(1)非平衡載流子的復合與生命期τ

(2)非平衡載流子的擴散與漂移
二、同質結──p-n結(p-n Junction)
(1)平衡時的p-n結位能障
(2)p-n結的順向注入
(3)p-n結的逆向抽取
(4)p-n結的整流作用與載流子之注入
(5)p-n結的電容
(6)p-n結的擊穿(break down)及隧道結
三、異質結(hetergeneous junction)
四、MOS結構(Metal-Oxide-Semi-conductor Structure)
(1)理想的MOS結構的電容-電壓特性

 

CHAPTER 7 非晶型半導體
一、非晶型物質
二、非晶型物質的基本能隙模型
三、非晶型物質在半導體元件上的應用
(1)摻雜的效應
(2)直流電導
(3)非晶態半導體中的缺陷

 

CHAPTER 8 半導體的表面、界面與多層結構
一、半導體表面結構
(1)表面弛豫(surface relaxation)
(2)表面重構(surface reconstruction)
(3)台階表面(stepped surface)
(4)吸附表面
二、金屬與半導體界面
(1)蕭特基位能障的原因
(2)歐姆接觸(Ohmic contact)
三、矽與二氧化矽界面
四、半導體常見的吸附
五、半導體的多層結構──超晶格
(1)超晶格的結構與物理功能
(2)超晶格和量子阱材料的應用

 

CHAPTER 9 半導體長晶與薄膜製程
一、晶體成長製程
(1)半導體晶體生長的方法
(2)區域精煉與浮區成長
二、半導體薄膜的製程方法
(1)真空蒸發鍍膜法(也就是物理氣相沈積法)
(2)特殊蒸發法──幾種比較便宜的方法
(3)濺射鍍膜法(sputtering)
(4)化學氣相沈積法(CVD)

 

CHAPTER 10 半導體元件製程
一、前言
二、氧化物的形成
(1)二氧化矽的結構與性質
(2)氧化的方法
(3)熱氧化速率的因素
(4)在元件上的作用
三、摻雜
(1)熱擴散
(2)熱擴散的方法
(3)離子注入法
四、平面印刷術(lithography)
(1)圖形轉移
(2)圖形刻蝕

詳細資料

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    • 編/譯者
    • 語言
    • 中文繁體
    • 規格
    • 平裝
    • ISBN
    • 9789571149257
    • 分級
    • 普通級
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    • 頁數
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    • 出版地
    • 台灣
    • 適讀年齡

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