半導體製程技術導論(第三版)(0618702)
活動訊息
內容簡介
本書譯自Hong Xiao(蕭宏) 原著「Introduction to Semiconductor Manufacturing Technology」(第二版)，提供最新的半導體製程相關加工技術之介紹與各種加工原理之說明與應用，是半導體製程實務最為鉅細靡遺的著作。本書適用於公私立大學、科大、技術學院，電子、電機、資工、機械系『半導體工程』、『半導體製程』、『半導體導論』課程使用。
目錄
第一章 導論 1
1.1 積體電路發展歷史 3
1.2 積體電路發展回顧 14
1.3 本章總結 22
習題 22
參考文獻 22
第二章 積體電路製程介紹 25
2.1 積體電路製程簡介 26
2.2 積體電路的良率 26
2.3 無塵室技術 30
2.4 積體電路製程區間基本結構 38
2.5 積體電路測試與封裝 48
2.6 積體電路未來發展趨勢 55
2.7 本章總結 56
習題 57
參考文獻 58
第三章 半導體基礎 59
3.1 半導體基本概念 60
3.2 半導體基本元件 64
3.3 積體電路晶片 75
3.4 積體電路基本製程 79
3.5 互補式金屬氧化物電晶體 86
3.6 2000後半導體製程發展趨勢 90
3.7 本章總結 92
習題 93
參考文獻 93
第四章 晶圓製造 95
4.1 簡介 96
4.2 為什麼使用矽材料 96
4.3 晶體結構與缺陷 98
4.4 晶圓生產技術 101
4.5 磊晶矽生長技術 109
4.6 基板工程 117
4.7 本章總結 121
習題 122
參考文獻 122
第五章 加熱製程 125
5.1 簡介 126
5.2 加熱製程的硬體設備 126
5.3 氧化製程 130
5.4 擴散製程 150
5.5 退火過程 155
5.6 高溫化學氣相沉積 159
5.7 快速加熱製程(RTP)系統 167
5.8 加熱製程發展趨勢 174
5.9 本章總結 176
習題 177
參考文獻 178
第六章 微影製程 179
6.1 簡介 180
6.2 光阻 181
6.3 微影製程 184
6.4 微影技術的發展趨勢 210
6.5 安全性 228
6.6 本章總結 229
習題 231
參考文獻 232
第七章 電漿製程 235
7.1 簡介 236
7.2 電漿基本概念 236
7.3 電漿中的碰撞 238
7.4 電漿參數 242
7.5 離子轟擊 247
7.6 直流偏壓 249
7.7 電漿製程優點 251
7-8 電漿增強化學氣相沉積及電漿蝕刻反應器 255
7.10 高密度電漿製程 260
7.11 本章總結 262
習題 263
參考文獻 263
第八章 離子佈植製程 265
8.1 簡介 266
8.2 離子佈植技術簡介 273
8.3 離子佈植技術硬體設備 281
8.4 離子佈植製程過程 290
8.5 安全性 304
8.6 離子佈植技術發展趨勢 306
8.7 本章總結 308
習題 309
參考文獻 310
第九章 蝕刻製程 311
9.1 蝕刻製程簡介 312
9.2 蝕刻製程基礎 314
9.3 濕式蝕刻製程 320
9.4 電漿(乾式)蝕刻製程 325
9.5 電漿蝕刻製程 338
9.6 蝕刻製程發展趨勢 357
9.7 蝕刻製程未來發展趨勢 359
9.8 本章總結 361
習題 362
參考文獻 362
第十章 化學氣相沉積與介電質薄膜 365
10.1 簡介 366
10.2 化學氣相沉積 368
10.3 介電質薄膜的應用 385
10.4 介電質薄膜特性 393
10.5 介電質CVD製程 406
10.6 塗佈旋塗矽玻璃 420
10.7 高密度電漿CVD (HDP-CVD) 421
10.8 介電質CVD反應室清潔 424
10.9 製程發展趨勢與故障排除 428
10.10 化學氣相沉積製程發展趨勢 434
10.11 本章總結 441
習題 443
參考文獻 444
第十一章 金屬化製程 447
11.1 簡介 448
11.2 導電薄膜 450
11.3 金屬薄膜特性 464
11.4 金屬化學氣相沉積 472
11.5 物理氣相沉積 481
11.6 銅金屬化製程 493
11.7 安全性 499
11.8 本章總結 499
習題 501
參考文獻 502
第十二章 化學機械研磨製程 503
12.1 簡介 504
12.2 CMP硬體設備 514
12.3 CMP研磨漿 517
12.4 CMP基本理論 523
12.5 CMP製程過程 529
12.6 CMP製程發展趨勢 538
12.7 本章總結 539
習題 540
參考文獻 542
第十三章 半導體製程整合 545
13.1 簡介 546
13.2 晶圓準備 546
13.3 隔離技術 548
13.4 井區形成 554
13.5 電晶體製造 557
13.6 金屬高k閘極MOS 561
13.7 互連技術 565
13.8 鈍化 574
13.9 總結 575
習題 575
參考文獻 576
第十四章 IC製程技術 577
14.1 簡介 578
14.2 上世紀80年代CMOS製程流程 578
14.3 上世紀90年代CMOS製程流程 582
14.4 2000年代CMOS製程流程 596
14.5 2010年代CMOS製程流程 615
14.6 記憶體晶片製造製程 627
14.7 本章總結 644
習題 645
參考文獻 646
第十五章 半導體製程發展趨勢和總結 649
參考文獻 656
1.1 積體電路發展歷史 3
1.2 積體電路發展回顧 14
1.3 本章總結 22
習題 22
參考文獻 22
第二章 積體電路製程介紹 25
2.1 積體電路製程簡介 26
2.2 積體電路的良率 26
2.3 無塵室技術 30
2.4 積體電路製程區間基本結構 38
2.5 積體電路測試與封裝 48
2.6 積體電路未來發展趨勢 55
2.7 本章總結 56
習題 57
參考文獻 58
第三章 半導體基礎 59
3.1 半導體基本概念 60
3.2 半導體基本元件 64
3.3 積體電路晶片 75
3.4 積體電路基本製程 79
3.5 互補式金屬氧化物電晶體 86
3.6 2000後半導體製程發展趨勢 90
3.7 本章總結 92
習題 93
參考文獻 93
第四章 晶圓製造 95
4.1 簡介 96
4.2 為什麼使用矽材料 96
4.3 晶體結構與缺陷 98
4.4 晶圓生產技術 101
4.5 磊晶矽生長技術 109
4.6 基板工程 117
4.7 本章總結 121
習題 122
參考文獻 122
第五章 加熱製程 125
5.1 簡介 126
5.2 加熱製程的硬體設備 126
5.3 氧化製程 130
5.4 擴散製程 150
5.5 退火過程 155
5.6 高溫化學氣相沉積 159
5.7 快速加熱製程(RTP)系統 167
5.8 加熱製程發展趨勢 174
5.9 本章總結 176
習題 177
參考文獻 178
第六章 微影製程 179
6.1 簡介 180
6.2 光阻 181
6.3 微影製程 184
6.4 微影技術的發展趨勢 210
6.5 安全性 228
6.6 本章總結 229
習題 231
參考文獻 232
第七章 電漿製程 235
7.1 簡介 236
7.2 電漿基本概念 236
7.3 電漿中的碰撞 238
7.4 電漿參數 242
7.5 離子轟擊 247
7.6 直流偏壓 249
7.7 電漿製程優點 251
7-8 電漿增強化學氣相沉積及電漿蝕刻反應器 255
7.10 高密度電漿製程 260
7.11 本章總結 262
習題 263
參考文獻 263
第八章 離子佈植製程 265
8.1 簡介 266
8.2 離子佈植技術簡介 273
8.3 離子佈植技術硬體設備 281
8.4 離子佈植製程過程 290
8.5 安全性 304
8.6 離子佈植技術發展趨勢 306
8.7 本章總結 308
習題 309
參考文獻 310
第九章 蝕刻製程 311
9.1 蝕刻製程簡介 312
9.2 蝕刻製程基礎 314
9.3 濕式蝕刻製程 320
9.4 電漿(乾式)蝕刻製程 325
9.5 電漿蝕刻製程 338
9.6 蝕刻製程發展趨勢 357
9.7 蝕刻製程未來發展趨勢 359
9.8 本章總結 361
習題 362
參考文獻 362
第十章 化學氣相沉積與介電質薄膜 365
10.1 簡介 366
10.2 化學氣相沉積 368
10.3 介電質薄膜的應用 385
10.4 介電質薄膜特性 393
10.5 介電質CVD製程 406
10.6 塗佈旋塗矽玻璃 420
10.7 高密度電漿CVD (HDP-CVD) 421
10.8 介電質CVD反應室清潔 424
10.9 製程發展趨勢與故障排除 428
10.10 化學氣相沉積製程發展趨勢 434
10.11 本章總結 441
習題 443
參考文獻 444
第十一章 金屬化製程 447
11.1 簡介 448
11.2 導電薄膜 450
11.3 金屬薄膜特性 464
11.4 金屬化學氣相沉積 472
11.5 物理氣相沉積 481
11.6 銅金屬化製程 493
11.7 安全性 499
11.8 本章總結 499
習題 501
參考文獻 502
第十二章 化學機械研磨製程 503
12.1 簡介 504
12.2 CMP硬體設備 514
12.3 CMP研磨漿 517
12.4 CMP基本理論 523
12.5 CMP製程過程 529
12.6 CMP製程發展趨勢 538
12.7 本章總結 539
習題 540
參考文獻 542
第十三章 半導體製程整合 545
13.1 簡介 546
13.2 晶圓準備 546
13.3 隔離技術 548
13.4 井區形成 554
13.5 電晶體製造 557
13.6 金屬高k閘極MOS 561
13.7 互連技術 565
13.8 鈍化 574
13.9 總結 575
習題 575
參考文獻 576
第十四章 IC製程技術 577
14.1 簡介 578
14.2 上世紀80年代CMOS製程流程 578
14.3 上世紀90年代CMOS製程流程 582
14.4 2000年代CMOS製程流程 596
14.5 2010年代CMOS製程流程 615
14.6 記憶體晶片製造製程 627
14.7 本章總結 644
習題 645
參考文獻 646
第十五章 半導體製程發展趨勢和總結 649
參考文獻 656
配送方式
-
台灣
- 國內宅配：本島、離島
-
到店取貨：
不限金額免運費
-
海外
- 國際快遞：全球
-
港澳店取：
訂購/退換貨須知
加入金石堂 LINE 官方帳號『完成綁定』，隨時掌握出貨動態：
提醒您！！
金石堂及銀行均不會請您操作ATM! 如接獲電話要求您前往ATM提款機，請不要聽從指示，以免受騙上當！
退換貨須知：
**提醒您，鑑賞期不等於試用期，退回商品須為全新狀態**
-
依據「消費者保護法」第19條及行政院消費者保護處公告之「通訊交易解除權合理例外情事適用準則」，以下商品購買後，除商品本身有瑕疵外，將不提供7天的猶豫期：
- 易於腐敗、保存期限較短或解約時即將逾期。（如：生鮮食品）
- 依消費者要求所為之客製化給付。（客製化商品）
- 報紙、期刊或雜誌。（含MOOK、外文雜誌）
- 經消費者拆封之影音商品或電腦軟體。
- 非以有形媒介提供之數位內容或一經提供即為完成之線上服務，經消費者事先同意始提供。（如：電子書、電子雜誌、下載版軟體、虛擬商品…等）
- 已拆封之個人衛生用品。（如：內衣褲、刮鬍刀、除毛刀…等）
- 若非上列種類商品，均享有到貨7天的猶豫期（含例假日）。
- 辦理退換貨時，商品（組合商品恕無法接受單獨退貨）必須是您收到商品時的原始狀態（包含商品本體、配件、贈品、保證書、所有附隨資料文件及原廠內外包裝…等），請勿直接使用原廠包裝寄送，或於原廠包裝上黏貼紙張或書寫文字。
- 退回商品若無法回復原狀，將請您負擔回復原狀所需費用，嚴重時將影響您的退貨權益。
商品評價