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CMOS數位積體電路分析與設計(第三版)(0397901)

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內容簡介

本書對於CMOS數位IC設計有深入淺出的介紹,並加強對各式記憶體的介紹,對其核心結構及工作原理均有清晰嚴謹的描述。內容包括:MOSFET的製造、MOS電晶體、MOS電晶體之SPICE模型、MOS(金屬氧化物半導體)反相器:靜態特性、MOS反相器:動態特性、組合MOS邏輯電路、序向MOS邏輯電路、動態邏輯電路、半導體記憶體、低功率CMOS邏輯電路、BiCMOS邏輯電路、晶片輸入和輸出電路(I/O)、可製造性導向的設計、可測試性導向的設計等。適用於私立大學、科大電子、電機系『積體電路設計』課程。
 
■ 本書優點特色
 
1.本書對於CMOS數位IC設計有深入淺出的介紹,並加強對各式記憶體的介紹,對其核心結構及工作原理均有清晰嚴謹的描述。2.第11章介紹低電壓設計,其內容特色為一般類似書籍所不及。3.第三版對於半導體記憶體之原理與設計技術有詳盡說明,十分精彩!

目錄

第1章 簡介1-1
 
1.1歷史觀點1-2
 
1.2本書的目標與結構1-6
 
1.3電路設計範例1-10
 
1.4VLSI設計的方法論總覽1-23
 
1.5設計流程1-26
 
1.6層級設計1-29
 
1.7一致化、模組化與區域化的觀念1-33
 
1.8設計型式1-35
 
1.9設計品質1-49
 
1.10包裝技術1-53
 
1.11電腦輔助設計技術1-56
 
習題1-58
 
第2章 MOSFET的製造2-1
 
2.1序言2-2
 
2.2製造流程的基本步驟2-3
 
2.3CMOS的n-井製程2-15
 
2.4佈局的設計規定2-22
 
2.5全客戶光罩佈局設計2-25
 
習題2-30
 
第3章 MOS電晶體3-1
 
3.1金屬氧化物半導體(MOS)結構3-2
 
3.2外加偏壓下之MOS結構3-7
 
3.3MOS電晶體(MOSFET)的結構和操作3-11
 
3.4MOSFET之電流-電壓特性3-25
 
3.5MOSFET尺寸縮小及微小幾何化之效應3-43
 
3.6MOSFET的電容3-62
 
習題3-76
 
第4章 MOS電晶體之SPICE模型4-1
 
4.1引言4-2
 
4.1基本概念4-3
 
4.3LEVEL 1模型方程式4-6
 
4.4LEVEL 2模型方程式4-11
 
4.5LEVEL 3模型方程式4-16
 
4.6先進MOSFET模型4-17
 
4.7電容模型4-18
 
4.8SPICE MOSFET模型的比較4-23
 
附錄典型之SPICE模型參數4-25
 
習題4-29
 
第5章 MOS(金屬氧化物半導體)反相器:靜態特性5-1
 
5.1序言5-2
 
5.2電阻型-負載反相器5-11
 
5.3增強型MOSFET負載反相器5-23
 
5.4CMOS反相器5-38
 
習題5-59
 
第6章 MOS反相器:動態特性6-1
 
6.1序言6-2
 
6.2延遲時間之定義6-4
 
6.3計算延遲時間6-6
 
6.4限定延遲的反相器設計6-17
 
6.5內部連線寄生參數評估6-32
 
6.6互連線延遲之計算6-45
 
6.7CMOS反相器的動態功率散失6-55
 
附錄A超級緩衝器設計6-65
 
習題6-67
 
第7章 組合MOS邏輯電路7-1
 
7.1序言7-2
 
7.2空乏型nMOS負載的MOS邏輯閘電路7-3
 
7.3CMOS邏輯電路7-18
 
7.4複合邏輯電路7-27
 
7.5CMOS傳輸閘(TGs)及TG邏輯7-42
 
習題7-53
 
第8章 序向MOS邏輯電路8-1
 
8.1序言8-2
 
8.2雙穩態元件性能描述8-3
 
8.3SR閂鎖電路8-11
 
8.4時脈閂鎖及正反器電路8-18
 
8.5CMOS D-閂鎖及邊緣觸發正反器8-27
 
附錄史密特觸發電路(Schmitt Trigger Circuit)8-35
 
習題8-40
 
第9章 動態邏輯電路9-1
 
9.1序言9-2
 
9.2傳送電晶體電路基本原理9-5
 
9.3電壓提帶9-19
 
9.4同步動態電路技術9-23
 
9.5動態CMOS電路技術9-30
 
9.6高性能動態CMOS電路9-35
 
習題9-56
 
第10章 半導體記憶體10-1

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    • 中文繁體
    • 裝訂
    • 紙本平裝
    • ISBN
    • 9789861570372
    • 分級
    • 普通級
    • 頁數
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    • 台灣
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