數位積體電路分析與設計（第三版）（05841）
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內容簡介
本書內容條理分明，淺顯易懂，並搭配習題，加強學習效果。包括深次微米數位積體電路設計，簡要回顧基礎邏輯閘的重要概念，利用基本的元件物理概念來導入，在第三章裡描述在積體電路設計過程中製造、佈局和模擬間的關係，第四章對MOS反相器導出雜訊容限和切換臨界值的分佈公式，在第五、六章討論NAND、NOR等邏輯閘靜態設計問題及高速設計所涉及問題。第七、八章研究傳輸閘和動態邏輯設計及半導體記憶體設計。九至十一章討論記憶體設計中的其他問題，介紹連線設計及電源網路和時脈設計。藉由本書完整歸納，使讀者對數位積體電路有進一步了解。本書適合私立大學、科大資工、電子、電機系「數位積體電路設計」課程使用。
■ 本書優點特色
1.以半導體元件物理為基礎，逐步闡述深次微米製程中數位設計問題。
2.介紹最新CMOS製造技術，包括淺溝槽隔離、銅互連和低k介質。
3.深入淺出的介紹，適合對積體電路設計有興趣的人士，作為研究的參考。
目錄
第1章 深次微米數位積體電路設計
1.1 緒論 1-1
1.2 積體電路產業的簡要歷史 1-3
1.3 數位邏輯閘設計的回顧 1-7
1.3.1 基本的邏輯函數 1-7
1.3.2 邏輯電路的實作 1-10
1.3.3 雜訊容限的定義 1-12
1.3.4 暫態特性的定義 1-13
1.3.5 功率消耗估算 1-14
1.4 數位積體電路設計 1-16
1.4.1 MOS電晶體的結構和工作原理 1-17
1.4.2 CMOS與NMOS 1-18
1.4.3 深次微米互連 1-20
1.5 數位電路的電腦輔助設計 1-24
1.5.1 電路模擬和分析 1-25
1.6 面臨的挑戰 1-27
1.7 小結 1-32
1.8 參考文獻 1-32
1.9 習題 1-33
第2章 MOS電晶體
2.1 緒論 2-1
2.2 MOS電晶體的結構和操作 2-3
2.3 MOS電晶體的臨限電壓 2-7
2.4 一次電流-電壓特性 2-18
2.5 速度飽和公式的來源 2-22
2.5.1 高電場的影響 2-24
2.5.2 速度飽和元件的電流公式 2-27
2.6
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