升科大四技－電子學總複習講義（全）（2019最新版）（附解答本）
活動訊息
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內容簡介
本書包括概論、二極體的物理性質及特性、二極體的應用電路、雙極性電晶體BJT、電晶體直流工作點的分析、電晶體之交流小信號分析、串級放大電路、埸效電晶體之特性、場效電晶體放大器電路、運算放大器、基本振盪電路應用等等。各章節重點整理詳盡，完整的架構使同學準備考試更加得心應手。每章節內皆有範例講解，且依各章範圍分類，擷取近10年來升學考試歷屆試題之代表題型，並附有難題詳解，可提供同學多方練習並迅速吸收。配合95新課程內容編寫，作者以獨特新穎的解說，一針見血，使同學達到事半功倍之學習效果，適合升科大四技的同學，也可作為自修者準備升學不可或缺的參考用書。
目錄
第1 章 概 論
1-1 電子學發展的歷史1-2
1-2 積體電路(IC)時期1-3
1-3 基本波形的認識1-4
1-4 正弦波(Sine Wave) 1-7
1-4-1 平均值 1-8
1-4-2 正弦波的有效值1-10
1-5 方波(Square Wave) 1-13
1-6 三角波與鋸齒波1-19
1-7 波形因數與波峰因數1-21
第2 章 二極體的物理
性質及特性
2-1 原子結構與元素週期表2-2
2-2 本質半導體2-4
2-3 摻雜－外質半導體2-5
2-3-1 多數載子與少數載子2-5
2-3-2 施體雜質與N 型半導體2-6
2-3-3 受體雜質與P 型半導體2-9
2-3-4 本質半導體、外質半導體的電阻溫度係數2-11
2-3-5 電子流與電洞流2-12
2-4 PN 二極體的開路特性2-15
2-4-1 空乏區2-16
2-4-2 障壁電壓 2-18
2-5 二極體之外加偏壓特性 2-22
2-5-1 順向偏壓(forward bias)2-22
2-5-2 逆向偏壓(reverse bias)2-23
2-6 二極體電流方程式2-24
2-7 二極體之三大等效電路解法2-29
2-7-1 理想二極體等效電路2-29
2-7-2 定電壓模式等效電路2-33
2-7-3 補充：密爾門公式 2-36
2-7-4 戴維寧等效電路2-36
2-8 二極體障壁電壓與漏電電流的溫度效應2-38
2-9 二極體的電容效應2-41
2-9-1 擴散電容量(CD) 2-41
2-9-2 過渡電容量(CT) 2-41
2-10 可變電容二極體 2-43
2-11 稽納二極體(Zener diode) 2-44
2-12 發光二極體LED 2-55
第3 章 二極體的應用電路
3-1 整流概論 3-2
3-2 半波整流電路(Half Rectifier Circuit) 3-4
3-2-1 工作原理3-4
3-2-2 半波整流之輸出值3-5
3-3 中心抽頭式全波整流器3-9
3-3-1 工作原理 3-11
3-3-2 中心抽頭式的輸出值3-12
3-4 橋式全波整流3-15
3-4-1 工作原理 3-16
3-4-2 橋式整流的輸出值 3-18
3-5 漣波與漣波百分比3-23
3-5-1 漣波因數(ripple factor)3-23
3-5-2 濾波電路與漣波百分比3-24
3-5-3 全波% = 24 ×100% LRC3-27
3-6 倍壓整流電路3-32
3-6-1 半波倍壓電路3-33
3-6-2 全波倍壓電路3-36
3-7 直流電壓調整率3-38
3-7-1 Zener Diode 方式穩壓3-40
3-7-2 稽納穩壓電路3-40
3-7-3 穩壓IC3-42
3-8 箝位電路(Clamping Circuit)3-47
3-9 截波電路(Clipping Circuit)3-56
3-9-1 三點判斷法 3-57
3-9-2 Vo與Vi 之V-V 轉換曲線3-57
3-9-3 二極體串聯截波電路(一)3-57
3-9-4 二極體串聯截波電路(二)3-62
3-9-5 二極體並聯截波電路3-64
3-9-6 雙截波電路 3-68
3-9-7 稽納二極體截波電路3-72
第4 章 雙極性電晶體BJT
4-1 雙極性與單極性4-2
4-1-1 BJT 的製造與符號4-2
4-1-2 電晶體的編號 4-7
4-2 E J 順向、C J 逆向（雲霄飛車）與β 值4-9
4-2-1 為何JE 順向（發射）、JC逆向（吸出） 4-9
4-2-2 電晶體的電流增益－β 值4-13
4-3 電晶體的三種放大組態 4-15
4-3-1 共基式(CB) 4-16
4-3-2 共射式(CE) 4-18
4-3-3 共集式(CC)射極隨耦器4-21
4-3-4 三態的Vo /Vi 相位關係4-24
4-4 電晶體的三區 4-25
4-4-1 截止區(cut-off region) 4-28
4-4-2 主動區(active region) 4-29
4-4-3 飽和區(saturation region)4-31
4-5 電晶體與開關電路4-34
4-5-1 電晶體與反相器4-34
4-5-2 電晶體與LED4-38
4-5-3 電晶體與繼電器4-38
第5 章 電晶體直流工作點的分析
5-1 直流負載線(DC Load Line) 5-2
5-1-1 最佳直流工作點 5-3
5-2 共射式放大電路偏壓設計5-9
5-2-1 固定偏壓法(Fixed Bias)
5-10
5-2-2 射極電流( E I )回授偏壓法 5-17
5-2-3 自給偏壓法(Self-Bias)5-22
5-2-4 集極電壓(VCE)回授偏壓法 5-31
5-3 共集極式偏壓電路5-36
5-4 共基極式偏壓電路5-39
第6 章 電晶體之交流小信號分析
6-1 小信號之定義6-2
6-2 共射極放大四大電路分析6-8
6-2-1 無RE 一固定偏壓電路6-9
6-2-2 有RE ，但無CE 6-13
6-2-3 含CE -射極旁路電容器6-17
6-2-4 含有信號源內阻-RS 6-26
6-3 共集式－CC 式放大電路6-27
6-4 共基極式放大電路6-34
6-5 達靈頓電路6-38
第7 章 串級放大電路
7-1 變壓器交連式放大器7-2
7-2 電阻／電容耦合式放大器 7-5
7-3 直接耦合式放大器7-10
7-4 串級放大器與分貝7-12
7-4-1 AP與分貝7-12
7-4-2 AV 與分貝7-13
7-4-3 dBm7-14
7-4-4 AVT 與dBT (Total)7-15
7-5 串級放大器之頻率響應 7-18
第8 章 場效電晶體之特性
8-1 FET 的分類 8-2
8-1-1 單載子與雙載子 8-5
8-1-2 電壓控制元件與電流控制元件8-6
8-2 N-通道JFET 8-8
8-2-1 IDSS的定義8-10
8-2-2 Vp =VGS(OFF)的定義8-10
8-3 N - JFET 的電壓電流方程式8-11
8-3-1 三極體區電流方程式8-11
8-3-2 夾止區電流方程式 8-14
8-3-3 N-JFET 的直流偏壓8-19
8-3-4 固定偏壓(fixed bias) 8-19
8-3-5 源極自給偏壓(self-bias)8-21
8-3-6 閘極分壓偏壓8-24
8-3-7 總整理8-26
8-4 P 通道JFET 8-28
8-5 FET 與BJT 之優缺點8-29
8-6 MOSFET 的特性與參數8-30
8-7 N 通道增強型MOSFET 8-32
8-7-1 物理結構 8-32
8-7-2 電流方程式 8-35
8-7-3 三極體區(歐姆區)8-37
8-7-4 夾止區8-38
8-8 增強型MOSFET 之直流偏壓
8-39
8-8-1 閘極分壓自給偏壓方式8-39
8-8-2 汲極回授偏壓方式 8-44
8-8-3 C-MOSFET 的邏輯電路8-47
8-9 增強型P 通道MOSFET 8-49
8-10 空乏型N 通道MOSFET 8-51
8-11 空乏型P 通道MOSFET8-55
第9 章 場效電晶體放大器電路
9-1 FET 的交流分析9-2
9-1-1 交流信號轉移函數－gm 9-2
9-1-2 JFET 交流等效電路 9-4
9-2 共源式放大器9-5
9-2-1 共源式RS不存在 9-6
9-2-2 共源式含RS存在9-12
9-3 共汲式放大器：源極隨耦器9-15
9-3-1 靴帶式電路 9-21
9-4 共閘極式放大器9-22
第10 章 運算放大器
10-1 OPA 概論 10-2
10-1-1 理想運算放大器特性10-2
10-1-2 反相輸入端( −Vi )、非反相輸入端( +Vi )與Vo 關係10-5
10-1-3 OPA 內部分析10-6
10-1-4 虛短路(Virtual Short Circuit) 10-7
10-1-5 OPA 輸出端電壓、電流之限制10-13
10-1-6 變動率SR(slew rate)與頻寬(BW) 10-15
10-2 反相放大器 10-20
10-3 非反相放大器 10-27
10-4 加法電路10-33
1-1 電子學發展的歷史1-2
1-2 積體電路(IC)時期1-3
1-3 基本波形的認識1-4
1-4 正弦波(Sine Wave) 1-7
1-4-1 平均值 1-8
1-4-2 正弦波的有效值1-10
1-5 方波(Square Wave) 1-13
1-6 三角波與鋸齒波1-19
1-7 波形因數與波峰因數1-21
第2 章 二極體的物理
性質及特性
2-1 原子結構與元素週期表2-2
2-2 本質半導體2-4
2-3 摻雜－外質半導體2-5
2-3-1 多數載子與少數載子2-5
2-3-2 施體雜質與N 型半導體2-6
2-3-3 受體雜質與P 型半導體2-9
2-3-4 本質半導體、外質半導體的電阻溫度係數2-11
2-3-5 電子流與電洞流2-12
2-4 PN 二極體的開路特性2-15
2-4-1 空乏區2-16
2-4-2 障壁電壓 2-18
2-5 二極體之外加偏壓特性 2-22
2-5-1 順向偏壓(forward bias)2-22
2-5-2 逆向偏壓(reverse bias)2-23
2-6 二極體電流方程式2-24
2-7 二極體之三大等效電路解法2-29
2-7-1 理想二極體等效電路2-29
2-7-2 定電壓模式等效電路2-33
2-7-3 補充：密爾門公式 2-36
2-7-4 戴維寧等效電路2-36
2-8 二極體障壁電壓與漏電電流的溫度效應2-38
2-9 二極體的電容效應2-41
2-9-1 擴散電容量(CD) 2-41
2-9-2 過渡電容量(CT) 2-41
2-10 可變電容二極體 2-43
2-11 稽納二極體(Zener diode) 2-44
2-12 發光二極體LED 2-55
第3 章 二極體的應用電路
3-1 整流概論 3-2
3-2 半波整流電路(Half Rectifier Circuit) 3-4
3-2-1 工作原理3-4
3-2-2 半波整流之輸出值3-5
3-3 中心抽頭式全波整流器3-9
3-3-1 工作原理 3-11
3-3-2 中心抽頭式的輸出值3-12
3-4 橋式全波整流3-15
3-4-1 工作原理 3-16
3-4-2 橋式整流的輸出值 3-18
3-5 漣波與漣波百分比3-23
3-5-1 漣波因數(ripple factor)3-23
3-5-2 濾波電路與漣波百分比3-24
3-5-3 全波% = 24 ×100% LRC3-27
3-6 倍壓整流電路3-32
3-6-1 半波倍壓電路3-33
3-6-2 全波倍壓電路3-36
3-7 直流電壓調整率3-38
3-7-1 Zener Diode 方式穩壓3-40
3-7-2 稽納穩壓電路3-40
3-7-3 穩壓IC3-42
3-8 箝位電路(Clamping Circuit)3-47
3-9 截波電路(Clipping Circuit)3-56
3-9-1 三點判斷法 3-57
3-9-2 Vo與Vi 之V-V 轉換曲線3-57
3-9-3 二極體串聯截波電路(一)3-57
3-9-4 二極體串聯截波電路(二)3-62
3-9-5 二極體並聯截波電路3-64
3-9-6 雙截波電路 3-68
3-9-7 稽納二極體截波電路3-72
第4 章 雙極性電晶體BJT
4-1 雙極性與單極性4-2
4-1-1 BJT 的製造與符號4-2
4-1-2 電晶體的編號 4-7
4-2 E J 順向、C J 逆向（雲霄飛車）與β 值4-9
4-2-1 為何JE 順向（發射）、JC逆向（吸出） 4-9
4-2-2 電晶體的電流增益－β 值4-13
4-3 電晶體的三種放大組態 4-15
4-3-1 共基式(CB) 4-16
4-3-2 共射式(CE) 4-18
4-3-3 共集式(CC)射極隨耦器4-21
4-3-4 三態的Vo /Vi 相位關係4-24
4-4 電晶體的三區 4-25
4-4-1 截止區(cut-off region) 4-28
4-4-2 主動區(active region) 4-29
4-4-3 飽和區(saturation region)4-31
4-5 電晶體與開關電路4-34
4-5-1 電晶體與反相器4-34
4-5-2 電晶體與LED4-38
4-5-3 電晶體與繼電器4-38
第5 章 電晶體直流工作點的分析
5-1 直流負載線(DC Load Line) 5-2
5-1-1 最佳直流工作點 5-3
5-2 共射式放大電路偏壓設計5-9
5-2-1 固定偏壓法(Fixed Bias)
5-10
5-2-2 射極電流( E I )回授偏壓法 5-17
5-2-3 自給偏壓法(Self-Bias)5-22
5-2-4 集極電壓(VCE)回授偏壓法 5-31
5-3 共集極式偏壓電路5-36
5-4 共基極式偏壓電路5-39
第6 章 電晶體之交流小信號分析
6-1 小信號之定義6-2
6-2 共射極放大四大電路分析6-8
6-2-1 無RE 一固定偏壓電路6-9
6-2-2 有RE ，但無CE 6-13
6-2-3 含CE -射極旁路電容器6-17
6-2-4 含有信號源內阻-RS 6-26
6-3 共集式－CC 式放大電路6-27
6-4 共基極式放大電路6-34
6-5 達靈頓電路6-38
第7 章 串級放大電路
7-1 變壓器交連式放大器7-2
7-2 電阻／電容耦合式放大器 7-5
7-3 直接耦合式放大器7-10
7-4 串級放大器與分貝7-12
7-4-1 AP與分貝7-12
7-4-2 AV 與分貝7-13
7-4-3 dBm7-14
7-4-4 AVT 與dBT (Total)7-15
7-5 串級放大器之頻率響應 7-18
第8 章 場效電晶體之特性
8-1 FET 的分類 8-2
8-1-1 單載子與雙載子 8-5
8-1-2 電壓控制元件與電流控制元件8-6
8-2 N-通道JFET 8-8
8-2-1 IDSS的定義8-10
8-2-2 Vp =VGS(OFF)的定義8-10
8-3 N - JFET 的電壓電流方程式8-11
8-3-1 三極體區電流方程式8-11
8-3-2 夾止區電流方程式 8-14
8-3-3 N-JFET 的直流偏壓8-19
8-3-4 固定偏壓(fixed bias) 8-19
8-3-5 源極自給偏壓(self-bias)8-21
8-3-6 閘極分壓偏壓8-24
8-3-7 總整理8-26
8-4 P 通道JFET 8-28
8-5 FET 與BJT 之優缺點8-29
8-6 MOSFET 的特性與參數8-30
8-7 N 通道增強型MOSFET 8-32
8-7-1 物理結構 8-32
8-7-2 電流方程式 8-35
8-7-3 三極體區(歐姆區)8-37
8-7-4 夾止區8-38
8-8 增強型MOSFET 之直流偏壓
8-39
8-8-1 閘極分壓自給偏壓方式8-39
8-8-2 汲極回授偏壓方式 8-44
8-8-3 C-MOSFET 的邏輯電路8-47
8-9 增強型P 通道MOSFET 8-49
8-10 空乏型N 通道MOSFET 8-51
8-11 空乏型P 通道MOSFET8-55
第9 章 場效電晶體放大器電路
9-1 FET 的交流分析9-2
9-1-1 交流信號轉移函數－gm 9-2
9-1-2 JFET 交流等效電路 9-4
9-2 共源式放大器9-5
9-2-1 共源式RS不存在 9-6
9-2-2 共源式含RS存在9-12
9-3 共汲式放大器：源極隨耦器9-15
9-3-1 靴帶式電路 9-21
9-4 共閘極式放大器9-22
第10 章 運算放大器
10-1 OPA 概論 10-2
10-1-1 理想運算放大器特性10-2
10-1-2 反相輸入端( −Vi )、非反相輸入端( +Vi )與Vo 關係10-5
10-1-3 OPA 內部分析10-6
10-1-4 虛短路(Virtual Short Circuit) 10-7
10-1-5 OPA 輸出端電壓、電流之限制10-13
10-1-6 變動率SR(slew rate)與頻寬(BW) 10-15
10-2 反相放大器 10-20
10-3 非反相放大器 10-27
10-4 加法電路10-33
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