矽晶圓半導體材料技術（第六版）（精裝本）

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內容簡介

由於矽晶圓材料是半導體工業的基礎，因此從事半導體領域之學術研究與工程人員，都必須深入的瞭解矽晶圓的基本性質與製造過程。
因此本書內容上採深入淺出的方式敘述，除了介紹矽晶圓工業的歷史演進與產業現況之外，尚包含了以下單元：矽晶的基本性質、多晶矽的製造技術、單晶生長、矽晶缺陷、矽晶之加工成型、性質檢測等單元。
作者將本書的重點放在矽晶圓製造流程的介紹上。適用於晶圓半導體材料技術有興趣之讀者及相關從業人員。

目錄

1緒論

2矽晶的性質
第1節 結晶性質
第2節 半導體物理與矽晶的電性
第3節 矽的光學性質
第4節 矽的熱性質
第5節 矽的機械性質

3多晶矽原料的生產技術
第1節 塊狀多晶矽製造技術-Simens方法
第2節 塊狀多晶矽製造技術-AsiMi方法
第3節 粒狀多晶矽製造技術

4單晶生長
前言
第1節 單晶生長理論
第2節 CZ矽晶生長法(Czochralski Pulling)
第3節 MCZ矽單晶生長法
第4節 CCZ矽單晶生長法
第5節 FZ矽單晶生長法
第6節 矽磊晶生長技術

5矽晶圓缺陷
第1節 CZ矽晶的點缺陷與微缺陷
第2節 氧析出物(Oxygen Precipitation)
第3節 OISF(Oxidation Induced Stacking Faults)

6矽晶圓之加工成型
第1節 切斷(Cropping)
第2節 外徑磨削 (Grinding)
第3節 方位指定加工─平邊V-型槽(Flat & Notch Grinding)
第4節 切片(Slicing)
第5節 圓邊(Edge Profiling)
第6節 研磨(Lapping)
第7節 蝕刻(Etching)
第8節 拋光(Polishing)
第9節 清洗(Cleaning)
第10節 雷射印碼(Laser Marking)
第11節 矽晶圓的背面處理

7矽晶圓性質之檢驗
第1節 PN判定
第2節 電阻量測
第3節 結晶軸方向檢定
第4節 氧濃度的測定
第5節 Lifetime量測技術
第6節 晶圓缺陷檢驗與超微量分析技術
第7節 晶圓表面微粒之量測
第8節 金屬雜質之量測
第9節 平坦度之量測

8矽晶圓在半導體上的應用
第1節 記憶體(Memory)
第2節 邏輯積體電路(Logic IC)
第3節 功率半導體元件(Power Semiconductor Device)

附錄A　晶格幾何學
附錄B　基本常數
附錄C　矽的基本性質
附錄D　矽晶圓材料及半導體工業常用名詞之解釋
附錄E　矽晶圓片的重要規格參數

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詳細資料

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• • 語言
  • 中文繁體
  • 裝訂
  • 軟精裝
• • ISBN
  • 9789865035112
  • 分級
  • 普通級
• • 頁數
  • 584
  • 商品規格
  • 16開19*26cm
• • 出版地
  • 台灣
  • 適讀年齡
  • 全齡適讀
• • 注音
  • 級別

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