活動訊息
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內容簡介
本書專為公職考試考生出版的講重點系列書籍，書中內容詳細，在每章最後皆附有歷屆試題提供演練，讓考生解題技巧與觀念合一，加深同學學習印象，並且善於以簡易之觀念，引導學生進入半導體工程的世界，搭配數百題最新之考古題演練，讓學生進而駕馭半導體工程。
本書適用考試：高考三級、地方特考、鐵特高員三級
本書適用考試類科：電子工程
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本書適用考試類科：電子工程
目錄
第1章 半導體簡介與晶體性質
1-1 半導體架構分類
1-2 半導體理論架構
1-3 半導體晶體晶格
1-4 Miller指標
1-5 固體之缺陷與雜質
1-6 解鑽石結構
歷屆試題
第2章 固態量子理論導讀
2-1 量子力學概念
2-2 Schrodinger波動方程式
2-3 Schrodinger波動方程式應用
2-4 Schrodinger波動方程式與原子模型
2-5 能帶的形成
2-6 狀態密度函數(Density of states)
歷屆試題
第3章 平衡半導體
3-1 熱平衡時電子和電洞濃度
3-2 本質半導體的形成
3-3 雜質半導體的形成
3-4 載子濃度與溫度的關係
歷屆試題
第４章 載子傳輸現象
4-1 漂移電流原理
4-2 漂移率(mobility)
4-3 高電場效應
4-4 擴散電流原理
4-5 霍爾效應(Hall Effect)
歷屆試題
第5章 半導體的不平衡過量載子
5-1 漂移電流原理
5-2 雙極性傳輸方程式
5-3 過量載子生命週期
5-4 準費米能階
5-5 Haynes-shockly實驗
歷屆試題
第6章 PN接面
6-1 PN接面結構與熱平衡
6-2 順向偏壓與逆向偏壓
6-3 不均勻參雜PN接面
6-4 接面電壓與電流定性分析
6-5 小訊號模型與暫態響應
6-6 PN接面崩潰
6-7 穿隧二極體
6-8 異質二極體(Heterogeneous diode)
歷屆試題
第7章 BJT之基本結構與操作模式
7-1 BJT的結構與操作原理
7-2 少數載子分佈與能階圖
7-3 順向主動區之數學分析
7-4 BJT等效電路模型
7-5 BJT頻率響應與暫態分析
7-6 BJT非理想效應
7-7 異質接面雙極性電晶體
歷屆試題
第8章 金氧半場效應電晶體(MOSFET)
8-1 理想MOS電容器
8-2 考慮功函數差
8-3 MOS電容與電壓特性
8-4 MOS電晶體等效電路與頻率特性
8-5 MOSFET之非理想效應
8-6 CMOS技術
8-7 Latch up現象分析
歷屆試題
第9章 金半接半與接面半導體
9-1 金屬－半導體接面
9-2 歐姆接觸
9-3 接面場效應電晶體
歷屆試題
第10章 光電元件
10-1 太陽能電池
10-2 光檢測器
10-3 發光二極體
10-4 雷射二極體
歷屆試題
第11章 半導體製程技術
11-1 晶體成長
11-2 矽氧化
11-3 微影(Lithography)
11-4 蝕刻
11-5 擴散
11-6 薄膜沉積
11-7 製程整合
歷屆試題
附錄
附錄一 半導體公式
附錄二 常用符號之定義
附錄三 物理常數及常用因數
附錄四 半導體材料之性質
1-1 半導體架構分類
1-2 半導體理論架構
1-3 半導體晶體晶格
1-4 Miller指標
1-5 固體之缺陷與雜質
1-6 解鑽石結構
歷屆試題
第2章 固態量子理論導讀
2-1 量子力學概念
2-2 Schrodinger波動方程式
2-3 Schrodinger波動方程式應用
2-4 Schrodinger波動方程式與原子模型
2-5 能帶的形成
2-6 狀態密度函數(Density of states)
歷屆試題
第3章 平衡半導體
3-1 熱平衡時電子和電洞濃度
3-2 本質半導體的形成
3-3 雜質半導體的形成
3-4 載子濃度與溫度的關係
歷屆試題
第４章 載子傳輸現象
4-1 漂移電流原理
4-2 漂移率(mobility)
4-3 高電場效應
4-4 擴散電流原理
4-5 霍爾效應(Hall Effect)
歷屆試題
第5章 半導體的不平衡過量載子
5-1 漂移電流原理
5-2 雙極性傳輸方程式
5-3 過量載子生命週期
5-4 準費米能階
5-5 Haynes-shockly實驗
歷屆試題
第6章 PN接面
6-1 PN接面結構與熱平衡
6-2 順向偏壓與逆向偏壓
6-3 不均勻參雜PN接面
6-4 接面電壓與電流定性分析
6-5 小訊號模型與暫態響應
6-6 PN接面崩潰
6-7 穿隧二極體
6-8 異質二極體(Heterogeneous diode)
歷屆試題
第7章 BJT之基本結構與操作模式
7-1 BJT的結構與操作原理
7-2 少數載子分佈與能階圖
7-3 順向主動區之數學分析
7-4 BJT等效電路模型
7-5 BJT頻率響應與暫態分析
7-6 BJT非理想效應
7-7 異質接面雙極性電晶體
歷屆試題
第8章 金氧半場效應電晶體(MOSFET)
8-1 理想MOS電容器
8-2 考慮功函數差
8-3 MOS電容與電壓特性
8-4 MOS電晶體等效電路與頻率特性
8-5 MOSFET之非理想效應
8-6 CMOS技術
8-7 Latch up現象分析
歷屆試題
第9章 金半接半與接面半導體
9-1 金屬－半導體接面
9-2 歐姆接觸
9-3 接面場效應電晶體
歷屆試題
第10章 光電元件
10-1 太陽能電池
10-2 光檢測器
10-3 發光二極體
10-4 雷射二極體
歷屆試題
第11章 半導體製程技術
11-1 晶體成長
11-2 矽氧化
11-3 微影(Lithography)
11-4 蝕刻
11-5 擴散
11-6 薄膜沉積
11-7 製程整合
歷屆試題
附錄
附錄一 半導體公式
附錄二 常用符號之定義
附錄三 物理常數及常用因數
附錄四 半導體材料之性質
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